N-Channel MOSFET, 200 mA, 50 V, 3-Pin SOT-323 RU1J002YNTCL
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3000 шт., срок 6 недель
17 руб.
Кратность заказа 100 шт.
100 шт.
на сумму 1 700 руб.
Плати частями
от 425 руб. × 4 платежа
от 425 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения5
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
МОП-транзистор 0.9V Drive Nch МОП-транзистор
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Maximum Continuous Drain Current | 200 mA |
| Maximum Drain Source Resistance | 9 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 50 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -8 V, +8 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 0.8V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 150 mW |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.3V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-323 |
| Pin Count | 3 |
| Series | RU1J002YN |
| Width | 1.35mm |
| Id - непрерывный ток утечки | 200 mA |
| Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.2 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 50 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 4.5 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 300 mV |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 8 ns |
| Время спада | 43 ns |
| Другие названия товара № | RU1J002YN |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 200 ms |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | RU1J002YN |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 17 ns |
| Типичное время задержки при включении | 5 ns |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-323FL-3 |
| кол-во в упаковке | 1 |
| Brand | ROHM Semiconductor |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Fall Time | 43 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 200 mA |
| Manufacturer | ROHM Semiconductor |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | UMT3F-3 |
| Packaging | Reel |
| Pd - Power Dissipation | 150 mW |
| Product Category | MOSFET |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 1.6 Ohms |
| Rise Time | 8 ns |
| RoHS | Details |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 17 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 5 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 50 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 8 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 800 mV |
| Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 3792 КБ
Datasheet RU1J002YNTCL
pdf, 1659 КБ
Документация
pdf, 1683 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
