FQPF2N60C, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 2A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
63 руб.
Мин. кол-во для заказа 8 шт.
от 50 шт. —
52 руб.
от 100 шт. —
48 руб.
от 200 шт. —
45 руб.
8 шт.
на сумму 504 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 2A
Технические параметры
| Корпус | TO-220F | |
| Brand | ON Semiconductor/Fairchild | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Configuration | Single | |
| Factory Pack Quantity | 50 | |
| Fall Time | 28 ns | |
| Forward Transconductance - Min | 5 S | |
| Height | 16.07 mm | |
| Id - Continuous Drain Current | 2 A | |
| Length | 10.36 mm | |
| Manufacturer | ON Semiconductor | |
| Maximum Operating Temperature | +150 C | |
| Minimum Operating Temperature | -55 C | |
| Mounting Style | Through Hole | |
| Number of Channels | 1 Channel | |
| Package / Case | TO-220FP-3 | |
| Packaging | Tube | |
| Part # Aliases | FQPF2N60C_NL | |
| Pd - Power Dissipation | 23 W | |
| Product Category | MOSFET | |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 4.7 Ohms | |
| Rise Time | 25 ns | |
| RoHS | Details | |
| Series | FQPF2N60C | |
| Technology | Si | |
| Tradename | QFET | |
| Transistor Polarity | N-Channel | |
| Transistor Type | 1 N-Channel | |
| Type | MOSFET | |
| Typical Turn-Off Delay Time | 24 ns | |
| Typical Turn-On Delay Time | 9 ns | |
| Unit Weight | 0.080072 oz | |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600 V | |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V | |
| Width | 4.9 mm | |
| Вес, г | 3.5 |
Техническая документация
Документация
pdf, 1596 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
