BCW70.215
![Фото 1/6 BCW70.215](https://static.chipdip.ru/lib/927/DOC032927082.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/081/DOC036081965.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/944/DOC041944459.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/514/DOC006514322.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/769/DOC016769276.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/413/DOC021413223.jpg)
7 руб.
Мин. кол-во для заказа 507 шт.
от 1200 шт. —
5.20 руб.
507 шт.
на сумму 3 549 руб.
Плати частями
от 888 руб. × 4 платежа
от 888 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения5
Описание
Транзисторы и сборки биполярные
Описание Транзистор маломощный SOT23
Технические параметры
Корпус | to236 | |
кол-во в упаковке | 3000 | |
Pd - рассеивание мощности | 250 mW | |
Вид монтажа | SMD/SMT | |
Высота | 1 mm | |
Длина | 3 mm | |
Другие названия товара № | BCW70 T/R | |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT | |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 215 at 2 mA at 5 V | |
Конфигурация | Single | |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 215 at 2 mA at 5 V | |
Максимальная рабочая температура | + 150 C | |
Максимальный постоянный ток коллектора | 0.1 A | |
Минимальная рабочая температура | 65 C | |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V | |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V | |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V | |
Подкатегория | Transistors | |
Полярность транзистора | PNP | |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz | |
Размер фабричной упаковки | 3000 | |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors | |
Торговая марка | Nexperia | |
Упаковка / блок | SOT-23-3 | |
Ширина | 1.4 mm | |
Maximum Collector Base Voltage | 50 V | |
Maximum Collector Emitter Voltage | -45 V | |
Maximum DC Collector Current | -100 mA | |
Maximum Emitter Base Voltage | 5 V | |
Maximum Operating Frequency | 100 MHz | |
Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
Maximum Power Dissipation | 250 mW | |
Minimum DC Current Gain | 215 | |
Mounting Type | Surface Mount | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Package Type | SOT-23(TO-236AB) | |
Pin Count | 3 | |
Transistor Configuration | Single | |
Transistor Type | PNP | |
Transistor Polarity | PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo | |
Case | SOT23, TO236AB | |
Collector current | 0.1A | |
Collector-emitter voltage | 45V | |
Current gain | 90…500 | |
Kind of package | reel, tape | |
Manufacturer | NEXPERIA | |
Mounting | SMD | |
Polarisation | bipolar | |
Power dissipation | 0.25W | |
Type of transistor | PNP | |
Вес, г | 0.044 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов