BCV62B.215
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
20 руб.
1 шт.
на сумму 20 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения4
Описание
Транзисторы и сборки биполярные
Now Nexperia BCV62B - Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT4
Технические параметры
| Корпус | TO253 | |
| кол-во в упаковке | 3000 | |
| Pd - рассеивание мощности | 250 mW | |
| Вид монтажа | SMD/SMT | |
| Высота | 1 mm | |
| Длина | 3 mm | |
| Другие названия товара № | BCV62B T/R | |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT | |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 220 | |
| Конфигурация | Dual | |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 100 at 100 uA at 5 V | |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C | |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 200 mA | |
| Минимальная рабочая температура | 65 C | |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 30 V | |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 30 V | |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V | |
| Непрерывный коллекторный ток | 100 mA | |
| Подкатегория | Transistors | |
| Полярность транзистора | PNP | |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz | |
| Размер фабричной упаковки | 3000 | |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors | |
| Торговая марка | Nexperia | |
| Упаковка / блок | SOT-143-4 | |
| Ширина | 1.4 mm | |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 30V | |
| Maximum DC Collector Current | 100mA | |
| Pd - Power Dissipation | 250mW | |
| Transistor Type | 2 PNPпј€Doubleпј‰Current Mirror | |
| Transistor Polarity | Dual PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo | |
| Вес, г | 0.042 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
