UMD9NTR
![Фото 1/2 UMD9NTR](https://static.chipdip.ru/lib/757/DOC043757666.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/523/DOC006523765.jpg)
9045 шт. со склада г.Москва
8 руб.
Мин. кол-во для заказа 439 шт.
от 1000 шт. —
6 руб.
от 4300 шт. —
5.25 руб.
439 шт.
на сумму 3 512 руб.
Плати частями
от 878 руб. × 4 платежа
от 878 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения3
Описание
Транзисторы и сборки биполярные
Описание Транзистор силовой биполярный SOT23-6
Технические параметры
Корпус | SOT363 | |
кол-во в упаковке | 3000 | |
Pd - рассеивание мощности | 150 mW | |
Вид монтажа | SMD/SMT | |
Высота | 0.9 mm | |
Длина | 2 mm | |
Другие названия товара № | UMD9N | |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным | |
Количество каналов | 2 Channel | |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 68 | |
Конфигурация | Dual | |
Максимальная рабочая температура | + 150 C | |
Непрерывный коллекторный ток | 70 mA | |
Пиковый постоянный ток коллектора | 100 mA | |
Подкатегория | Transistors | |
Полярность транзистора | NPN, PNP | |
Размер фабричной упаковки | 3000 | |
Серия | UMD9N | |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased | |
Типичное входное сопротивление | 10 kOhms | |
Типичный коэффициент деления резистора | 0.212 | |
Торговая марка | ROHM Semiconductor | |
Ширина | 1.25 mm | |
Base Product Number | *MD9 -> | |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA | |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA | |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V | |
ECCN | EAR99 | |
Frequency - Transition | 250MHz | |
HTSUS | 8541.21.0095 | |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | |
Mounting Type | Surface Mount | |
Other Related Documents | http://rohmfs.rohm.com/en/techdata_basic/transisto | |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® | |
Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
Power - Max | 150mW | |
REACH Status | REACH Unaffected | |
Resistor - Base (R1) | 10kOhms | |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47kOhms | |
RoHS Status | ROHS3 Compliant | |
Simulation Models | http://rohmfs.rohm.com/en/products/library/spice/d | |
Supplier Device Package | UMT6 | |
Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250ВµA, 5mA | |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V | |
Вес, г | 0.029 |
Техническая документация
Datasheet UMD9NTR
pdf, 594 КБ
Datasheet UMD9NTR
pdf, 1685 КБ
Дополнительная информация
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.