BSS123, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 100В, 0.2А, 350мВт [SOT-23]

Фото 1/2 BSS123, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 100В, 0.2А, 350мВт [SOT-23]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
26950 шт. со склада г.Москва
6 руб.
Кратность заказа 110 шт.
от 1100 шт.2 руб.
от 4070 шт.1.50 руб.
от 7040 шт.1.45 руб.
Добавить в корзину 110 шт. на сумму 660 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8001881321
Артикул: BSS123

Описание

транзисторы полевые импортные

Технические параметры

Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 0.17
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 0.36
Корпус sot23
Крутизна характеристики S,А/В 0.8
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 6000
Температура, С -55…+150
Вес, г 0.01

Техническая документация

Datasheet
pdf, 650 КБ
Datasheet BSS123
pdf, 589 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.