NX3008NBKS,115, Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 0.35 А, 0.28 Вт

Фото 1/4 NX3008NBKS,115, Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 0.35 А, 0.28 Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2503 шт. со склада г.Москва, срок 8-10 дней
17 руб.
Мин. кол-во для заказа 27 шт.
от 71 шт.15 руб.
от 142 шт.14 руб.
от 284 шт.13 руб.
27 шт. на сумму 459 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения4
Номенклатурный номер: 8001916388
Артикул: NX3008NBKS,115
Бренд: Nexperia B.V.

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Сборки MOSFET транзисторов
Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 0.35 А, 0.28 Вт

Технические параметры

Корпус TSSOP6
Base Product Number NX3008 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 350mA
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
ECCN EAR99
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.68nC @ 4.5V
HTSUS 8541.21.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 15V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Power - Max 445mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 350mA, 4.5V
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series Automotive, AEC-Q101, TrenchMOSв„ў ->
Supplier Device Package 6-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id 1.1V @ 250ВµA
Brand Nexperia
Channel Mode Enhancement
Configuration Dual
Factory Pack Quantity 3000
Fall Time 19 ns
Id - Continuous Drain Current 350 mA
Manufacturer Nexperia
Maximum Operating Temperature +150 C
Minimum Operating Temperature -55 C
Mounting Style SMD/SMT
Number Of Channels 2 Channel
Packaging Cut Tape or Reel
Pd - Power Dissipation 445 mW
Product Category MOSFET
Product Type MOSFET
Qg - Gate Charge 0.52 nC
Qualification AEC-Q101
Rds On - Drain-Source Resistance 1.4 Ohms
Rise Time 11 ns
Subcategory MOSFETs
Technology Si
Transistor Polarity N-Channel
Transistor Type 2 N-Channel Trench MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time 69 ns
Typical Turn-On Delay Time 15 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 30 V
Vgs - Gate-Source Voltage 4.5 V
Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage 600 mV
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 350 mA
Maximum Drain Source Resistance 2.8 Ω
Maximum Drain Source Voltage 30 V
Maximum Gate Source Voltage -8 V, +8 V
Maximum Gate Threshold Voltage 1.1V
Maximum Power Dissipation 445 mW
Minimum Gate Threshold Voltage 0.6V
Number of Elements per Chip 2
Package Type SOT-363
Pin Count 6
Transistor Configuration Isolated
Transistor Material Si
Typical Gate Charge @ Vgs 0.52 nC 4.5 V
Width 1.35mm
Вес, г 0.09

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet NX3008NBKS,115
pdf, 1414 КБ
Datasheet NX3008NBKS,115
pdf, 1618 КБ
Datasheet NX3008NBKS,115
pdf, 891 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.