NX3008PBKW,115, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 0.31Вт

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

767 шт. со склада г.Москва, срок 8-10 дней

4 руб.

Мин. кол-во для заказа 124 шт.

от 163 шт. — 3.30 руб.

от 325 шт. — 2.90 руб.

124 шт. на сумму 496 руб.

Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа

Альтернативные предложения3

Номенклатурный номер: 8001920796

Артикул: NX3008PBKW,115

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 0.31Вт

Корпус	sot-323
Base Product Number	NX3008 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	200mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
ECCN	EAR99
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.72nC @ 4.5V
HTSUS	8541.21.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	46pF @ 15V
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case	SC-70, SOT-323
Power Dissipation (Max)	260mW (Ta), 830mW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.1Ohm @ 200mA, 4.5V
REACH Status	REACH Unaffected
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Series	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOSв„ў ->
Supplier Device Package	SOT-323
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±8V
Vgs(th) (Max) @ Id	1.1V @ 250ВµA
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	P
Maximum Continuous Drain Current	200 mA
Maximum Drain Source Resistance	6.5 Ω
Maximum Drain Source Voltage	30 V
Maximum Gate Source Voltage	-8 V, +8 V
Maximum Gate Threshold Voltage	1.1V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	830 mW
Minimum Gate Threshold Voltage	0.6V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-323
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	0.55 nC @ 4.5 V
Width	1.35mm
Вес, г	0.005