RUM001L02T2CL
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
140 шт. со склада г.Москва, срок 6-7 дней
98 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
44 руб.
от 10 шт. —
32 руб.
от 100 шт. —
21.93 руб.
2 шт.
на сумму 196 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения4
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 20V, 0.1A, VMT, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:100mA, Drain Source Voltage Vds:20V, On Resistance Rds(on):2.5ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V, Threshold Voltage Vgs:1V, Power Dissipation , RoHS Compliant: Yes
Технические параметры
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Id - непрерывный ток утечки | 100 mA |
| Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 3.5 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 4.5 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 300 mV |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 4 ns |
| Время спада | 38 ns |
| Другие названия товара № | RUM001L02 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 180 ms |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 8000 |
| Серия | RUM001L02 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 20 ns |
| Типичное время задержки при включении | 5 ns |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-723-3 |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 100mA |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 150mW |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 3.5О© @ 100mA,4.5V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 1V @ 100uA |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Maximum Continuous Drain Current | 100 mA |
| Maximum Drain Source Resistance | 18 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -8 V, +8 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 150 mW |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.3V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-723 |
| Pin Count | 3 |
| Series | RUM001L02 |
| Width | 0.9mm |
| Case | SOT723 |
| Drain current | 0.1A |
| Drain-source voltage | 20V |
| Features of semiconductor devices | ESD protected gate |
| Gate-source voltage | ±8V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Manufacturer | ROHM SEMICONDUCTOR |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 3.5Ω |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 0.15W |
| Pulsed drain current | 0.4A |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Continuous Drain Current (Id) | 100mA |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 3.5Ω@4.5V, 100mA |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1V@100uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 7.1pF@10V |
| Power Dissipation (Pd) | 150mW |
| Type | 1PCSNChannel |
| Вес, г | 3.316 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 2209 КБ
Datasheet RUM001L02T2CL
pdf, 2209 КБ
Datasheet RUM001L02T2CL
pdf, 1307 КБ
Datasheet RUM001L02T2CL
pdf, 1342 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
