RQ6E050ATTCR
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
84 шт. со склада г.Москва, срок 6-7 дней
180 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
130 руб.
от 10 шт. —
101 руб.
от 84 шт. —
82.88 руб.
2 шт.
на сумму 360 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Электроэлемент
MOSFET, P-CH, -30V, -5A, TSMT-6; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-5A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):0.021ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-2.5V; Power Dissipation Pd:1.25W; Transistor Case Style:TSMT; No. of Pins:6Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
Технические параметры
| RoHS Compliant | Yes |
| Base Product Number | RQ6E050 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20.8nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 940pF @ 15V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
| Other Related Documents | http://rohmfs.rohm.com/en/techdata_basic/transisto |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Power Dissipation (Max) | 1.25W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27mOhm @ 5A, 10V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Simulation Models | http://rohmfs.rohm.com/en/products/library/spice/d |
| Supplier Device Package | TSMT6 (SC-95) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Maximum Continuous Drain Current | 5 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 38 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -18 V, +18 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 1.25 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TSMT-6 |
| Pin Count | 6 |
| Series | RQ6E050AT |
| Transistor Configuration | Dual Base |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 20.8 nC @ 10 V |
| Width | 1.8mm |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
