IS46R16160F-6TLA2
![IS46R16160F-6TLA2](https://static.chipdip.ru/lib/655/DOC017655870.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 210 руб.
от 2 шт. —
2 990 руб.
1 шт.
на сумму 3 210 руб.
Плати частями
от 804 руб. × 4 платежа
от 804 руб. × 4 платежа
Описание
Электроэлемент
DRAM для автомобильной промышленности (от -40 до 105 ° C), 256 МБ, 2,5 В, DDR1, 64Mx8, 166 МГц, 66-контактный TSOP-II RoHS
Технические параметры
Brand | ISSI |
Factory Pack Quantity | 108 |
Manufacturer | ISSI |
Product Category | DRAM |
RoHS | Details |
Series | IS46R16160F |
Access Time: | 700 ps |
Brand: | ISSI |
Data Bus Width: | 16 bit |
Factory Pack Quantity: | 108 |
Manufacturer: | ISSI |
Maximum Clock Frequency: | 166 MHz |
Maximum Operating Temperature: | +105 C |
Memory Size: | 256 Mbit |
Minimum Operating Temperature: | -40 C |
Moisture Sensitive: | Yes |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Organization: | 16 M x 16 |
Package / Case: | TSOP-66 |
Product Category: | DRAM |
Product Type: | DRAM |
Subcategory: | Memory & Data Storage |
Supply Current - Max: | 95 mA |
Supply Voltage - Max: | 2.7 V |
Supply Voltage - Min: | 2.3 V |
Type: | SDRAM-DDR |
Вес, г | 3.241 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 762 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем