SCT3160KLGC11
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 шт. со склада г.Москва, срок 6-7 дней
3 200 руб.
от 2 шт. —
3 040 руб.
1 шт.
на сумму 3 200 руб.
Плати частями
от 800 руб. × 4 платежа
от 800 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 1200В, 17А, 103Вт, TO247-3 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | биполярный |
| Вид | NPN |
Технические параметры
| Brand | ROHM Semiconductor |
| Channel Mode | Enhancement |
| Factory Pack Quantity | 450 |
| Fall Time | 25 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 17 A |
| Manufacturer | ROHM Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature | +175 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Packaging | Tube |
| Part # Aliases | SCT3160KLC11 |
| Pd - Power Dissipation | 103 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 42 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 160 mOhms |
| Rise Time | 18 ns |
| RoHS | Details |
| Series | SCT3x |
| Technology | SiC |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 24 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 14 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 1200 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | -4 V to 22 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 5.6 V |
| Вес, г | 8 |
Техническая документация
Документация
pdf, 699 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
