BPW34S
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
333 шт. со склада г.Москва, срок 6-7 дней
200 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
150 руб.
от 10 шт. —
122 руб.
от 100 шт. —
101.13 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 400 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Электроэлемент
Описание Фотодиод -max 850 нм, 0.4...1.1 мкм, Фототок 80 мкА, - 120 °, Темновой ток 2 нА, 0.9
Технические параметры
| Automotive | No |
| Maximum Dark Current - (nA) | 30 |
| Maximum Fall Time - (ns) | 20 |
| Maximum Forward Voltage - (V) | 1.3 |
| Maximum Light Current - (uA) | 80 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 150 |
| Maximum Reverse Voltage - (V) | 32 |
| Maximum Rise Time - (ns) | 20 |
| Military | No |
| Operating Temperature - (??C) | -40~100 |
| Peak Wavelength - (nm) | 850 |
| Photo Sensitivity | 0.62A/W |
| Photodiode Material | Si |
| Pin Count | 2 |
| Polarity | Reverse |
| Supplier Package | DIL SMT |
| Вес, г | 0.188 |
Техническая документация
Документация
pdf, 133 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
