IRFU420A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
210 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
150 руб.
от 10 шт. —
118 руб.
от 75 шт. —
97 руб.
2 шт.
на сумму 420 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 3,3А; Idm: 10А; 83Вт; IPAK Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Brand | Vishay Semiconductors |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Fall Time | 13 ns |
| Height | 6.22 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 3.3 A |
| Length | 6.73 mm |
| Manufacturer | Vishay |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-251-3 |
| Packaging | Tube |
| Pd - Power Dissipation | 83 W |
| Product Category | MOSFET |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 3 Ohms |
| Rise Time | 12 ns |
| RoHS | Details |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 16 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 8.1 ns |
| Unit Weight | 0.01164 oz |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 500 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| Width | 2.38 mm |
| Вес, г | 0.658 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
