RTR020N05TL
![RTR020N05TL](https://static.chipdip.ru/lib/506/DOC016506046.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
18 шт. со склада г.Москва, срок 6-7 дней
260 руб.
от 2 шт. —
210 руб.
от 10 шт. —
159 руб.
1 шт.
на сумму 260 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения3
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N CHANNEL, 45V, 2A, TSMT3, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:2A, Drain Source Voltage Vds:45V, On Resistance Rds(on):250mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V, Threshold Voltage Vgs:1.5V, Product Range:-, RoHS Compliant: Yes
Технические параметры
Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
Brand: | ROHM Semiconductor |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
Fall Time: | 11 ns |
Id - Continuous Drain Current: | 2 A |
Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | SOT-346T-3 |
Part # Aliases: | RTR020N05 |
Pd - Power Dissipation: | 1 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 2.9 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 180 mOhms |
Rise Time: | 16 ns |
Series: | RTR020N05 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time: | 21 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 11 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 45 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 500 mV |
Вес, г | 1.058 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1587 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.