AUIRF2804L
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 830 руб.
от 2 шт. —
2 640 руб.
от 5 шт. —
2 510 руб.
от 7 шт. —
2 417.50 руб.
1 шт.
на сумму 2 830 руб.
Плати частями
от 709 руб. × 4 платежа
от 709 руб. × 4 платежа
Описание
Электроэлемент
AUIRF2804L N-channel MOSFET Transistor; 270 A; 40 V; 3-Pin TO-262
Технические параметры
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 195A(Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
FET Feature | - |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 240nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6450pF @ 25V |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
Package / Case | TO-262-3 Long Leads, IВІPak, TO-262AA |
Packaging | Tube |
Part Status | Active |
Power Dissipation (Max) | 300W(Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 mOhm @ 75A, 10V |
Series | HEXFETВ® |
Supplier Device Package | TO-262 |
Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±20V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
Вес, г | 2.387 |
Техническая документация
AUIRF2804 datasheet
pdf, 392 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов