AUIRF2804S
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 410 руб.
1 шт.
на сумму 1 410 руб.
Плати частями
от 354 руб. × 4 платежа
от 354 руб. × 4 платежа
Описание
Электроэлемент
Automotive Q101 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak Package, D2PAK-3, RoHS
Технические параметры
AEC Qualified Number | AEC-Q101 |
Automotive | Yes |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current - (A) | 270 |
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 2.3@10V |
Maximum Drain Source Voltage - (V) | 40 |
Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
Maximum Power Dissipation - (mW) | 300000 |
Military | No |
Number of Elements per Chip | 1 |
Operating Temperature - (??C) | -55~175 |
Packaging | Tape and Reel |
Pin Count | 3 |
Process Technology | HEXFET |
Standard Package Name | TO-263 |
Supplier Package | D2PAK |
Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 160 |
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 160@10V |
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 6450@25V |
Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
AUIRF2804 datasheet
pdf, 392 КБ
Datasheet
pdf, 750 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов