AUIRF3710Z
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
570 руб.
от 2 шт. —
470 руб.
от 3 шт. —
421 руб.
1 шт.
на сумму 570 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Электроэлемент
AUIRF3710Z N-channel MOSFET Transistor; 59 A; 100 V; 3-Pin TO-220AB
Технические параметры
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 59A(Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
FET Feature | - |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 120nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2900pF @ 25V |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
Package / Case | TO-220-3 |
Packaging | Tube |
Part Status | Last Time Buy |
Power Dissipation (Max) | 160W(Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 35A, 10V |
Series | HEXFETВ® |
Standard Package | 50 |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±20V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
Вес, г | 4.385 |
Техническая документация
AUIRF3710Z datasheet
pdf, 344 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов