STGY50NC60WD
![STGY50NC60WD](https://static.chipdip.ru/lib/127/DOC043127304.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 шт. со склада г.Москва, срок 6-7 дней
480 руб.
от 2 шт. —
370 руб.
1 шт.
на сумму 480 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Электроэлемент
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 80A I(C), 600V V(BR)CES, N-CHANNEL
Технические параметры
Brand: | STMicroelectronics |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 2.1 V |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current at 25 C: | 110 A |
Continuous Collector Current Ic Max: | 110 A |
Factory Pack Quantity: | 600 |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Package/Case: | Max247-3 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 278 W |
Product Category: | IGBT Transistors |
Product Type: | IGBT Transistors |
Subcategory: | IGBTs |
Technology: | Si |
Вес, г | 7.634 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 539 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.