IKW40T120
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 420 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 420 руб.
Плати частями
от 605 руб. × 4 платежа
от 605 руб. × 4 платежа
Описание
Электроэлемент
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Collector Current (DC) | 75(A) |
| Collector Current (DC) (Max) | 75 A |
| Collector-Emitter Voltage | 1200(V) |
| Configuration | Single |
| Gate to Emitter Voltage (Max) | ±20(V) |
| Mounting | Through Hole |
| Operating Temperature (Max) | 150C |
| Operating Temperature (Min) | -40C |
| Operating Temperature Classification | Automotive |
| Package Type | TO-247 |
| Packaging | Rail/Tube |
| Pin Count | 3+Tab |
| Rad Hardened | No |
| Pd - рассеивание мощности | 270 W |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Высота | 20.95 mm |
| Длина | 15.9 mm |
| Другие названия товара № | IKW40T120FKSA1 IKW4T12XK SP000013940 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
| Коммерческое обозначение | TRENCHSTOP |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.7 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 75 A |
| Подкатегория | IGBTs |
| Размер фабричной упаковки | 240 |
| Серия | TRENCHSTOP IGBT |
| Технология | Si |
| Тип продукта | IGBT Transistors |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 600 nA |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Ширина | 5.3 mm |
| Base Product Number | IKW40T120 -> |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 75A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 105A |
| ECCN | EAR99 |
| Gate Charge | 203nC |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| IGBT Type | NPT, Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Power - Max | 270W |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Reverse Recovery Time (trr) | 240ns |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | TrenchStopВ® -> |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3 |
| Switching Energy | 6.5mJ |
| Td (on/off) @ 25В°C | 48ns/480ns |
| Test Condition | 600V, 40A, 15Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 40A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Brand | Infineon Technologies |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 1200 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.7 V |
| Continuous Collector Current At 25 C | 75 A |
| Factory Pack Quantity | 240 |
| Gate-Emitter Leakage Current | 600 nA |
| Manufacturer | Infineon |
| Maximum Gate Emitter Voltage | 20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -40 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Part # Aliases | IKW40T120FKSA1 IKW4T12XK SP000013940 |
| Pd - Power Dissipation | 270 W |
| Product Category | IGBT Transistors |
| Product Type | IGBT Transistors |
| Subcategory | IGBTs |
| Technology | Si |
| Tradename | TRENCHSTOP |
| Continuous Collector Current Ic Max | 40 A |
| RoHS | Details |
| Case | PG-TO247-3 |
| Collector current | 40A |
| Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Kind of package | tube |
| Power dissipation | 270W |
| Pulsed collector current | 105A |
| Semiconductor structure | single transistor |
| Turn-off time | 700ns |
| Turn-on time | 92ns |
| Type of transistor | IGBT |
| Вес, г | 8.5 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
