IGW40N120H3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 800 руб.
от 2 шт. —
1 660 руб.
от 4 шт. —
1 560 руб.
1 шт.
на сумму 1 800 руб.
Плати частями
от 450 руб. × 4 платежа
от 450 руб. × 4 платежа
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор БТИЗ IGW40N120H3 производства INFINEON относится к высокомощным IGBT транзисторам в корпусе PG-TO247-3, предназначенным для монтажа THT. Способен работать с током коллектора до 40 А и напряжением коллектор-эмиттер до 1200 В, что обеспечивает его мощностью в 483 Вт. Эти характеристики делают его идеальным выбором для широкого спектра областей применения, включая преобразование энергии, управление двигателями и инверторные системы. Модель IGW40N120H3 обладает улучшенной эффективностью и надежностью, что значительно повышает производительность и долговечность вашего оборудования. Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | БТИЗ |
Вид | IGBT |
Монтаж | THT |
Ток коллектора, А | 40 |
Напряжение коллектор-эмиттер, В | 1200 |
Мощность, Вт | 483 |
Корпус | PG-TO247-3 |
Технические параметры
Brand | Infineon Technologies |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 1200 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 2.05 V |
Configuration | Single |
Continuous Collector Current at 25 C | 80 A |
Factory Pack Quantity | 240 |
Gate-Emitter Leakage Current | 600 nA |
Manufacturer | Infineon |
Maximum Gate Emitter Voltage | +/-20 V |
Maximum Operating Temperature | +175 C |
Minimum Operating Temperature | -40 C |
Mounting Style | Through Hole |
Package / Case | TO-247-3 |
Packaging | Tube |
Part # Aliases | IGW40N120H3FKSA1 IGW4N12H3XK SP000667510 |
Pd - Power Dissipation | 483 W |
Product Category | IGBT Transistors |
RoHS | Details |
Series | HighSpeed 3 |
Technology | Si |
Tradename | TRENCHSTOP |
Unit Weight | 1.340411 oz |
Case | TO247-3 |
Collector current | 40A |
Collector-emitter voltage | 1.2kV |
Gate-emitter voltage | ±20V |
Kind of package | tube |
Manufacturer series | H3 |
Mounting | THT |
Power dissipation | 483W |
Semiconductor structure | single transistor |
Type of transistor | IGBT |
Вес, г | 38 |
Техническая документация
Datasheet IGW40N120H3FKSA1
pdf, 1889 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов