IGB20N60H3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 230 руб.
от 2 шт. —
1 100 руб.
от 3 шт. —
1 040 руб.
1 шт.
на сумму 1 230 руб.
Плати частями
от 309 руб. × 4 платежа
от 309 руб. × 4 платежа
Описание
Электроэлемент
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600v Hi-Speed SW IGBT
Технические параметры
Brand | Infineon Technologies |
Factory Pack Quantity | 1000 |
Manufacturer | Infineon |
Packaging | Reel |
Part # Aliases | IGB20N60H3ATMA1 IGB20N60H3XT SP000852232 |
Product Category | IGBT Transistors |
RoHS | Details |
Series | IGB20N60 |
Technology | Si |
Brand: | Infineon Technologies |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.95 V |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current at 25 C: | 40 A |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
Manufacturer: | Infineon |
Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Minimum Operating Temperature: | -40 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Package/Case: | D2PAK-3(TO-263-3) |
Packaging: | Reel, Cut Tape |
Part # Aliases: | IGB2N6H3XT SP000852232 IGB20N60H3ATMA1 |
Pd - Power Dissipation: | 170 W |
Product Category: | IGBT Transistors |
Product Type: | IGBT Transistors |
REACH - SVHC: | Details |
Series: | HighSpeed 3 |
Subcategory: | IGBTs |
Technology: | Si |
Tradename: | TRENCHSTOP |
Вес, г | 3 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1358 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов