IS61WV25616EDBLL-10TLI

Фото 1/4 IS61WV25616EDBLL-10TLI
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
850 руб.
от 2 шт.710 руб.
от 5 шт.619 руб.
от 10 шт.576.25 руб.
1 шт. на сумму 850 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8002024919

Описание

Электроэлемент
SRAM, 4MBIT, 10NS, TSOP-II-44; Memory Size:4Mbit; SRAM Memory Configuration:256K x 16bit; Supply Voltage Range:2.4V to 3.6V; Memory Case Style:TSOP-II; No. of Pins:44Pins; Access Time:10ns; Operating Temperature Min:-40В°C; Operating Temperature Max:85В°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; RoHS Phthalates Compliant:Yes; MSL:MSL 3 - 168 hours; SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)

Технические параметры

Access Time 10 ns
Brand ISSI
Factory Pack Quantity 135
Interface Type Parallel
Manufacturer ISSI
Maximum Operating Temperature +85 C
Memory Size 4 Mbit
Memory Type SDR
Minimum Operating Temperature -40 C
Mounting Style SMD/SMT
Organization 256 k x 16
Package / Case TSOP-44
Packaging Tray
Product Category SRAM
RoHS Details
Series IS61WV25616EDBLL
Supply Current - Max 35 mA
Supply Voltage - Max 3.6 V
Supply Voltage - Min 2.4 V
Type Asynchronous
ECCN 3A991B2A
HTSUS 8542.32.0041
Memory Format SRAM
Memory Interface Parallel
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40В°C ~ 85В°C (TA)
Package Tray
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package 44-TSOP II
Technology SRAM - Asynchronous
Voltage - Supply 2.4V ~ 3.6V
Write Cycle Time - Word, Page 10ns
Moisture Sensitive Yes
Product Type SRAM
Subcategory Memory & Data Storage
Unit Weight 0.016579 oz
Вес, г 3.11

Техническая документация

Datasheet
pdf, 567 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем