STGW50H60DF
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
3 шт. со склада г.Москва, срок 6-7 дней
1 810 руб.
от 2 шт. —
1 680 руб.
от 3 шт. —
1 590 руб.
1 шт.
на сумму 1 810 руб.
Плати частями
от 454 руб. × 4 платежа
от 454 руб. × 4 платежа
Описание
Электроэлемент
Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 360000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Технические параметры
Automotive | No |
Maximum Collector-Emitter Voltage - (V) | 600 |
Maximum Continuous Collector Current - (A) | 100 |
Maximum Gate Emitter Voltage - (V) | ??20 |
Maximum Power Dissipation - (mW) | 360000 |
Military | No |
Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
Packaging | Tube |
Pin Count | 3 |
Standard Package Name | TO-247 |
Supplier Package | TO-247 |
Вес, г | 7 |
Техническая документация
Документация
pdf, 1756 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.