IRG4BC30KD
![Фото 1/3 IRG4BC30KD](https://static.chipdip.ru/lib/827/DOC043827991.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/191/DOC000191997.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/728/DOC017728225.jpg)
840 руб.
1 шт.
на сумму 840 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор БТИЗ, 600В, 28А, 100Вт, TO220AB Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | БТИЗ |
Вид | IGBT |
Технические параметры
Brand | Infineon Technologies |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 600 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 2.21 V |
Configuration | Single |
Continuous Collector Current at 25 C | 28 A |
Continuous Collector Current Ic Max | 28 A |
Factory Pack Quantity | 1000 |
Gate-Emitter Leakage Current | 100 nA |
Height | 8.77 mm(Max) |
Length | 10.54 mm(Max) |
Manufacturer | Infineon |
Maximum Gate Emitter Voltage | +/-20 V |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | Through Hole |
Package / Case | TO-220-3 |
Packaging | Tube |
Pd - Power Dissipation | 100 W |
Product Category | IGBT Transistors |
RoHS | Details |
Technology | Si |
Unit Weight | 0.211644 oz |
Width | 4.69 mm(Max) |
Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
IRG4BC30KD Datasheet
pdf, 199 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов