IRG4PC50U

Фото 1/2 IRG4PC50U
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
5 180 руб.
от 2 шт.4 950 руб.
от 3 шт.4 780 руб.
1 шт. на сумму 5 180 руб.
Плати частями
от 1 295 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8002026320

Описание

Электроэлемент
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V UltraFast 8-60kHz

Технические параметры

Brand Infineon Technologies
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2 V
Configuration Single
Continuous Collector Current at 25 C 55 A
Continuous Collector Current Ic Max 27 A
Factory Pack Quantity 25
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Height 20.7 mm(Max)
Length 15.87 mm(Max)
Manufacturer Infineon
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Maximum Operating Temperature +150 C
Minimum Operating Temperature -55 C
Mounting Style Through Hole
Package / Case TO-247-3
Packaging Tube
Pd - Power Dissipation 200 W
Product Category IGBT Transistors
RoHS Details
Technology Si
Unit Weight 1.340411 oz
Width 5.31 mm(Max)
Вес, г 7.5

Техническая документация

IRG4PC50U Datasheet
pdf, 147 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов