RV1C002UNT2CL
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
55 шт. со склада г.Москва, срок 6-7 дней
99 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
69 руб.
от 10 шт. —
55 руб.
2 шт.
на сумму 198 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения4
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 20V, 0.15A, 0.1W; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:150mA; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):1.4ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:1V; Power
Технические параметры
| Brand | ROHM Semiconductor |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 8000 |
| Fall Time | 25 ns |
| Forward Transconductance - Min | 110 mS |
| Id - Continuous Drain Current | 150 mA |
| Manufacturer | ROHM Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | DFN0806-3 |
| Packaging | Cut Tape |
| Part # Aliases | RV1C002UN |
| Pd - Power Dissipation | 100 mW |
| Product Category | MOSFET |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 2 Ohms |
| Rise Time | 4 ns |
| RoHS | Details |
| Series | RV1C002UN |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 12 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 3 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 8 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 150 mA |
| Pd - рассеивание мощности | 100 mW |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 4.5 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 300 mV |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 4 ns |
| Время спада | 25 ns |
| Другие названия товара № | RV1C002UN |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 8000 |
| Серия | RV1C002UN |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel MOSFET |
| Типичное время задержки выключения | 12 ns |
| Типичное время задержки при включении | 3 ns |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | DFN-0806-3 |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 150 mA |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Type | DFN0806-3 |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant |
| Lead Shape | No Lead |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 0.15 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 2000@4.5V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 20 |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 10000 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±8 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 1 |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 100 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 3 |
| PPAP | No |
| Supplier Package | VML |
| Typical Fall Time (ns) | 25 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 12@10V |
| Typical Rise Time (ns) | 4 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 12 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 3 |
| Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1587 КБ
Datasheet
pdf, 1632 КБ
Datasheet RV1C002UNT2CL
pdf, 1622 КБ
Документация
pdf, 1646 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
