IKD10N60RATMA1, Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
![IKD10N60RATMA1, Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R](https://static.chipdip.ru/lib/974/DOC025974762.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
340 руб.
Мин. кол-во для заказа 90 шт.
90 шт.
на сумму 30 600 руб.
Плати частями
от 7 650 руб. × 4 платежа
от 7 650 руб. × 4 платежа
Описание
The Infineon IKD03N60RF is higher reliability due to monolithically integrated IGBT & diode due to less thermal cycling during switching.
Технические параметры
Channel Type | N |
Configuration | Single |
Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
Maximum Continuous Collector Current | 20 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | 20V |
Maximum Power Dissipation | 150 W |
Number of Transistors | 1 |
Package Type | PG-TO252 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1816 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов