IKD10N60RATMA1, Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

IKD10N60RATMA1, Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
340 руб.
Мин. кол-во для заказа 90 шт.
90 шт. на сумму 30 600 руб.
Плати частями
от 7 650 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8002180771
Артикул: IKD10N60RATMA1

Описание

The Infineon IKD03N60RF is higher reliability due to monolithically integrated IGBT & diode due to less thermal cycling during switching.

Технические параметры

Channel Type N
Configuration Single
Maximum Collector Emitter Voltage 600 V
Maximum Continuous Collector Current 20 A
Maximum Gate Emitter Voltage 20V
Maximum Power Dissipation 150 W
Number of Transistors 1
Package Type PG-TO252
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1816 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов