IKW30N60DTPXKSA1, Trans IGBT Chip N-CH 600V 53A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
![Фото 1/3 IKW30N60DTPXKSA1, Trans IGBT Chip N-CH 600V 53A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube](https://static.chipdip.ru/lib/880/DOC043880028.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/171/DOC012171488.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/413/DOC021413694.jpg)
320 руб.
Мин. кол-во для заказа 94 шт.
94 шт.
на сумму 30 080 руб.
Плати частями
от 7 520 руб. × 4 платежа
от 7 520 руб. × 4 платежа
Описание
Описание Транзистор IGBT, TRENCHSTOP™ P, 600В, 38А, TO247-3 Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | БТИЗ |
Вид | IGBT |
Технические параметры
Channel Type | N |
Energy Rating | 1.13mJ |
Gate Capacitance | 1050pF |
Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
Maximum Continuous Collector Current | 53 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Maximum Power Dissipation | 200 W |
Minimum Operating Temperature | -40 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Transistors | 1 |
Package Type | TO-247 |
Pin Count | 3 |
Switching Speed | 30kHz |
Transistor Configuration | Single |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IKW30N60DTPXKSA1
pdf, 1541 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов