IKFW50N60ETXKSA1, Trans IGBT Chip N-CH 600V 73A 164W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
![Фото 1/2 IKFW50N60ETXKSA1, Trans IGBT Chip N-CH 600V 73A 164W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube](https://static.chipdip.ru/lib/880/DOC043880100.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/578/DOC006578357.jpg)
1 340 руб.
Мин. кол-во для заказа 23 шт.
от 25 шт. —
1 240 руб.
23 шт.
на сумму 30 820 руб.
Плати частями
от 7 705 руб. × 4 платежа
от 7 705 руб. × 4 платежа
Описание
Описание Транзистор: IGBT, 600В, 59А, 120Вт, PG-TO247-3-AI Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | БТИЗ |
Вид | IGBT |
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 164 W |
Вид монтажа | Through Hole |
Другие названия товара № | IKFW50N60ET SP001672368 |
Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
Коммерческое обозначение | TRENCHSTOP |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
Минимальная рабочая температура | 40 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.5 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 73 A |
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 73 A |
Подкатегория | IGBTs |
Размер фабричной упаковки | 240 |
Серия | Trenchstop IGBT3 |
Технология | Si |
Тип продукта | IGBT Transistors |
Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-247-3 |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet IKFW50N60ETXKSA1
pdf, 1947 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов