IXXH50N60C3D1, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 100 А, 600 Вт
![Фото 1/2 IXXH50N60C3D1, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 100 А, 600 Вт](https://static.chipdip.ru/lib/179/DOC007179528.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/255/DOC003255343.jpg)
10 шт. со склада г.Москва, срок 8-10 дней
2 280 руб.
от 2 шт. —
2 140 руб.
от 3 шт. —
2 060 руб.
от 5 шт. —
1 950 руб.
1 шт.
на сумму 2 280 руб.
Плати частями
от 570 руб. × 4 платежа
от 570 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 100 А, 600 Вт
Технические параметры
Корпус | TO-247(IXXH) | |
Brand | IXYS | |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 600 V | |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 2.3 V | |
Continuous Collector Current at 25 C | 100 A | |
Factory Pack Quantity | 30 | |
Gate-Emitter Leakage Current | 100 nA | |
Manufacturer | IXYS | |
Maximum Gate Emitter Voltage | 20 V | |
Maximum Operating Temperature | +150 C | |
Minimum Operating Temperature | -55 C | |
Mounting Style | Through Hole | |
Package / Case | TO-247AD | |
Packaging | Tube | |
Pd - Power Dissipation | 600 W | |
Product Category | IGBT Transistors | |
RoHS | Details | |
Series | IXXH50N60 | |
Technology | Si | |
Tradename | XPT | |
Unit Weight | 0.229281 oz | |
Вес, г | 6 |
Техническая документация
Datasheet IXXH50N60C3D1
pdf, 191 КБ
IXXH50N60C3D1
pdf, 183 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.