IKW20N60H3FKSA1, Транзистор: IGBT, 600В, 20А, 85Вт, TO247-3

Фото 1/3 IKW20N60H3FKSA1, Транзистор: IGBT, 600В, 20А, 85Вт, TO247-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 140 руб.
от 3 шт.1 000 руб.
от 10 шт.777 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 140 руб.
Плати частями
от 285 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8002503174
Артикул: IKW20N60H3FKSA1

Описание

Описание Транзистор: IGBT, 600В, 20А, 85Вт, TO247-3 Характеристики
Категория Транзистор
Тип БТИЗ
Вид IGBT

Технические параметры

Channel Type N
Energy Rating 1.07mJ
Gate Capacitance 1100pF
Maximum Collector Emitter Voltage 600 V
Maximum Continuous Collector Current 40 A
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
Maximum Operating Temperature +175 °C
Maximum Power Dissipation 170 W
Minimum Operating Temperature -40 °C
Mounting Type Through Hole
Package Type TO-247
Pin Count 3
Switching Speed 100kHz
Transistor Configuration Single
Вес, г 6.1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IKW20N60H3FKSA1
pdf, 2124 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов