IXBH10N170, Транзистор: IGBT, BiMOSFET™, 1,7кВ, 10А, 140Вт, TO247-3
![IXBH10N170, Транзистор: IGBT, BiMOSFET™, 1,7кВ, 10А, 140Вт, TO247-3](https://static.chipdip.ru/lib/769/DOC034769643.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 060 руб.
от 3 шт. —
2 390 руб.
от 10 шт. —
1 960 руб.
1 шт.
на сумму 3 060 руб.
Плати частями
от 765 руб. × 4 платежа
от 765 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Transistors\IGBT transistors and modules\IGBT transistors
Технические параметры
Case | TO247-3 |
Collector current | 10A |
Collector-emitter voltage | 1.7kV |
Features of semiconductor devices | high voltage |
Gate charge | 30nC |
Gate-emitter voltage | ±20V |
Kind of package | tube |
Manufacturer | IXYS |
Mounting | THT |
Power dissipation | 140W |
Pulsed collector current | 40A |
Technology | BiMOSFET™ |
Turn-off time | 1.8µs |
Turn-on time | 63ns |
Type of transistor | IGBT |
Вес, г | 6 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 529 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов