CSD18542KTTT, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 200А, 250Вт, D2PAK
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
780 руб.
от 3 шт. —
680 руб.
от 10 шт. —
528 руб.
от 50 шт. —
434.10 руб.
1 шт.
на сумму 780 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 200А, 250Вт, D2PAK Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Case | D2PAK |
| Drain current | 200A |
| Drain-source voltage | 60V |
| Gate charge | 44nC |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Manufacturer | TEXAS INSTRUMENTS |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 5.1mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 250W |
| Pulsed drain current | 400A |
| Technology | NexFET™ |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 1.7 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
