C3M0120090J, Транзистор N-MOSFET, полевой, 900В, 22А, 83Вт, D2PAK-7, SiC
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
144 шт., срок 6 недель
3 570 руб.
от 3 шт. —
2 770 руб.
от 10 шт. —
2 270 руб.
от 50 шт. —
2 053.67 руб.
1 шт.
на сумму 3 570 руб.
Плати частями
от 894 руб. × 4 платежа
от 894 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения3
Описание
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 900В, 22А, 83Вт, D2PAK-7, SiC
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 22 A |
Maximum Drain Source Resistance | 120 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 900 V |
Maximum Gate Source Voltage | -8 V, 18 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 83 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1.8V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-263-7 |
Pin Count | 7 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | SiC |
Typical Gate Charge @ Vgs | 17.3 nC @ 4/15V |
Width | 9.12mm |
Вес, г | 2.223 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.