IXBT24N170, Транзистор: IGBT, BiMOSFET™, 1,7кВ, 24А, 250Вт, TO268

Фото 1/2 IXBT24N170, Транзистор: IGBT, BiMOSFET™, 1,7кВ, 24А, 250Вт, TO268
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
7 070 руб.
от 3 шт.5 710 руб.
от 10 шт.5 290 руб.
1 шт. на сумму 7 070 руб.
Плати частями
от 1 769 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8002533527
Артикул: IXBT24N170
Бренд: Ixys Corporation

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы и модули IGBT\Транзисторы IGBT\Транзисторы IGBT SMD
Описание Транзистор: IGBT, BiMOSFET™, 1,7кВ, 24А, 250Вт, TO268 Характеристики
Категория Транзистор
Тип БТИЗ
Вид IGBT

Технические параметры

Вес, г 4.09

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов