IXBT24N170, Транзистор: IGBT, BiMOSFET™, 1,7кВ, 24А, 250Вт, TO268
![Фото 1/2 IXBT24N170, Транзистор: IGBT, BiMOSFET™, 1,7кВ, 24А, 250Вт, TO268](https://static.chipdip.ru/lib/859/DOC043859470.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/859/DOC004859834.jpg)
7 070 руб.
от 3 шт. —
5 710 руб.
от 10 шт. —
5 290 руб.
1 шт.
на сумму 7 070 руб.
Плати частями
от 1 769 руб. × 4 платежа
от 1 769 руб. × 4 платежа
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы и модули IGBT\Транзисторы IGBT\Транзисторы IGBT SMD
Описание Транзистор: IGBT, BiMOSFET™, 1,7кВ, 24А, 250Вт, TO268 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | БТИЗ |
Вид | IGBT |
Технические параметры
Вес, г | 4.09 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов