Z0103MN0,135, Симистор, 600В, 1А, 3мА, SOT223, Упаковка бобина,лента
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3771 шт., срок 6 недель
90 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 25 шт. —
47 руб.
от 100 шт. —
41 руб.
от 500 шт. —
29.69 руб.
3 шт.
на сумму 270 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Полупроводники\Симисторы
The Z0103MN0 is a very sensitive gate TRIAC intended for use in applications requiring enhanced noise immunity, direct interfacing to logic ICs and low power gate drivers.
• Direct interfacing to logic level ICs
• Enhanced current surge capability
• Enhanced noise immunity
• High blocking voltage capability
• Planar passivated for voltage ruggedness and reliability
• Triggering in all four quadrants
Технические параметры
| Case | SOT223 |
| Features of semiconductor devices | sensitive gate |
| Gate current | 3/5mA |
| Kind of package | reel, tape |
| Manufacturer | WeEn Semiconductors |
| Max. forward impulse current | 12.5A |
| Max. load current | 1A |
| Max. off-state voltage | 0.6kV |
| Mounting | SMD |
| Technology | 4Q |
| Type of thyristor | triac |
| Количество Выводов | 4вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 125 C |
| Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt | 1.3В |
| Максимальный Отпирающий Ток Затвора (QI), Igt | 3мА |
| Максимальный Ток Удержания Ih | 7мА |
| Пиковая Мощность Затвора | 2Вт |
| Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm | 600В |
| Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц | 13.8А |
| Стиль Корпуса Симистора | SOT-223 |
| Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms) | 1А |
| Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 327 КБ
Дополнительная информация
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
