CSD19538Q2T, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 14,4А, 20,2Вт, WSON6, 2х2мм
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
440 руб.
от 5 шт. —
310 руб.
от 25 шт. —
243 руб.
от 100 шт. —
187.11 руб.
1 шт.
на сумму 440 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 14,4А, 20,2Вт, WSON6, 2х2мм Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Case | WSON6 |
| Dimensions | 2x2mm |
| Drain current | 14.4A |
| Drain-source voltage | 100V |
| Gate charge | 4.3nC |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Manufacturer | TEXAS INSTRUMENTS |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 49mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 20.2W |
| Technology | NexFET™ |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 0.14 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
