IGW15N120H3FKSA1, Транзистор: IGBT, 1,2кВ, 30А, 217Вт, TO247-3, Серия: H3

Фото 1/4 IGW15N120H3FKSA1, Транзистор: IGBT, 1,2кВ, 30А, 217Вт, TO247-3, Серия: H3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 350 руб.
от 3 шт.1 170 руб.
от 10 шт.919 руб.
1 шт. на сумму 1 350 руб.
Плати частями
от 339 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8002563067
Артикул: IGW15N120H3FKSA1

Описание

Semiconductors\Transistors\IGBT transistors and modules\IGBT transistors
Описание Транзистор БТИЗ IGW15N120H3FKSA1 от производителя INFINEON – это высокомощный компонент, предназначенный для силовой электроники. Устройство обладает максимальным током коллектора 30 А и напряжением коллектор-эмиттер 1 200 В, что позволяет эффективно использовать транзистор в сложных электротехнических системах. Мощность устройства составляет 217 Вт, что гарантирует его надежность и долговечность. Монтаж данного компонента производится с помощью технологии THT, что упрощает его интеграцию в печатные платы. Корпус PG-TO247-3 характеризуется высокой прочностью и отличной теплоотдачей. Применение транзистора IGBT IGW15N120H3FKSA1 охватывает широкий спектр применений, включая преобразователи частоты, системы бесперебойного питания и электроприводы. Характеристики
Категория Транзистор
Тип БТИЗ
Вид IGBT
Монтаж THT
Ток коллектора, А 30
Напряжение коллектор-эмиттер, В 1200
Мощность, Вт 217
Корпус PG-TO247-3

Технические параметры

Case TO247-3
Collector current 30A
Collector-emitter voltage 1.2kV
Gate-emitter voltage ±20V
Kind of package tube
Manufacturer INFINEON TECHNOLOGIES
Manufacturer series H3
Mounting THT
Power dissipation 217W
Technology TRENCHSTOP™ 3
Type of transistor IGBT
Channel Type N
Energy Rating 2.5mJ
Gate Capacitance 875pF
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
Maximum Continuous Collector Current 15 A
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
Maximum Operating Temperature +175 °C
Maximum Power Dissipation 217 W
Minimum Operating Temperature -40 °C
Mounting Type Through Hole
Package Type TO-247
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Вес, г 6.09

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IGW15N120H3FKSA1
pdf, 2007 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов