IGW15N120H3FKSA1, Транзистор: IGBT, 1,2кВ, 30А, 217Вт, TO247-3, Серия: H3
![Фото 1/4 IGW15N120H3FKSA1, Транзистор: IGBT, 1,2кВ, 30А, 217Вт, TO247-3, Серия: H3](https://static.chipdip.ru/lib/769/DOC034769643.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/806/DOC043806595.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/770/DOC016770963.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/770/DOC016770971.jpg)
1 350 руб.
от 3 шт. —
1 170 руб.
от 10 шт. —
919 руб.
1 шт.
на сумму 1 350 руб.
Плати частями
от 339 руб. × 4 платежа
от 339 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Transistors\IGBT transistors and modules\IGBT transistors
Описание Транзистор БТИЗ IGW15N120H3FKSA1 от производителя INFINEON – это высокомощный компонент, предназначенный для силовой электроники. Устройство обладает максимальным током коллектора 30 А и напряжением коллектор-эмиттер 1 200 В, что позволяет эффективно использовать транзистор в сложных электротехнических системах. Мощность устройства составляет 217 Вт, что гарантирует его надежность и долговечность. Монтаж данного компонента производится с помощью технологии THT, что упрощает его интеграцию в печатные платы. Корпус PG-TO247-3 характеризуется высокой прочностью и отличной теплоотдачей. Применение транзистора IGBT IGW15N120H3FKSA1 охватывает широкий спектр применений, включая преобразователи частоты, системы бесперебойного питания и электроприводы. Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | БТИЗ |
Вид | IGBT |
Монтаж | THT |
Ток коллектора, А | 30 |
Напряжение коллектор-эмиттер, В | 1200 |
Мощность, Вт | 217 |
Корпус | PG-TO247-3 |
Технические параметры
Case | TO247-3 |
Collector current | 30A |
Collector-emitter voltage | 1.2kV |
Gate-emitter voltage | ±20V |
Kind of package | tube |
Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES |
Manufacturer series | H3 |
Mounting | THT |
Power dissipation | 217W |
Technology | TRENCHSTOP™ 3 |
Type of transistor | IGBT |
Channel Type | N |
Energy Rating | 2.5mJ |
Gate Capacitance | 875pF |
Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
Maximum Continuous Collector Current | 15 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Maximum Power Dissipation | 217 W |
Minimum Operating Temperature | -40 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Package Type | TO-247 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Вес, г | 6.09 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IGW15N120H3FKSA1
pdf, 2007 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов