VN0550N3-G, Транзистор МОП n-канальный, 500В, 150мА, 1Вт, TO92
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
250 руб.
от 5 шт. —
190 руб.
от 25 шт. —
168 руб.
1 шт.
на сумму 250 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
МОП-транзистор 500V 60Ohm
Технические параметры
Case | TO92 |
Drain current | 50mA |
Drain-source voltage | 500V |
Gate-source voltage | ±20V |
Kind of channel | enhanced |
Kind of package | bulk |
Manufacturer | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Mounting | THT |
On-state resistance | 60Ω |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 1W |
Pulsed drain current | 0.25A |
Type of transistor | N-MOSFET |
Id - непрерывный ток утечки | 50 mA |
Pd - рассеивание мощности | 1 W |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 60 Ohms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 15 ns |
Время спада | 10 ns |
Высота | 5.33 mm |
Длина | 5.21 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Технология | Si |
Тип | FET |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 10 ns |
Типичное время задержки при включении | 10 ns |
Торговая марка | Microchip Technology |
Упаковка | Bulk |
Упаковка / блок | TO-92-3 |
Ширина | 4.19 mm |
Вес, г | 0.22 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 585 КБ
Дополнительная информация
Мы рекомендуем