IXYH8N250CHV, Транзистор: IGBT, XPT™, 2,5кВ, 8А, 280Вт, TO247HV
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6 990 руб.
от 3 шт. —
5 690 руб.
от 10 шт. —
5 000 руб.
от 30 шт. —
4 369.45 руб.
1 шт.
на сумму 6 990 руб.
Плати частями
от 1 749 руб. × 4 платежа
от 1 749 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Transistors\IGBT transistors and modules\IGBT transistors
Описание Транзистор: IGBT, XPT™, 2,5кВ, 8А, 280Вт, TO247HV Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
Технические параметры
| Case | TO247HV |
| Collector current | 8A |
| Collector-emitter voltage | 2.5kV |
| Features of semiconductor devices | high voltage |
| Gate charge | 45nC |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | IXYS |
| Mounting | THT |
| Power dissipation | 280W |
| Pulsed collector current | 70A |
| Technology | XPT™ |
| Turn-off time | 328ns |
| Turn-on time | 24ns |
| Type of transistor | IGBT |
| Вес, г | 6.34 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 259 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
