AS6C6264-55SCN, IC: SRAM memory; 8kx8bit; 2.7?5.5V; 55ns; SOP28; parallel; 330mils

Фото 1/3 AS6C6264-55SCN, IC: SRAM memory; 8kx8bit; 2.7?5.5V; 55ns; SOP28; parallel; 330mils
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 100 руб.
от 5 шт.880 руб.
от 25 шт.698 руб.
от 100 шт.562.57 руб.
1 шт. на сумму 1 100 руб.
Плати частями
от 275 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8002570199
Артикул: AS6C6264-55SCN

Описание

Полупроводники\Микросхемы\Памяти - микросхемы\Памяти SRAM - микросхемы\Памяти SRAM параллельные
Описание IC: SRAM memory; 8kx8bit; 2.7?5.5V; 55ns; SOP28; parallel; 330mils Характеристики
Категория Микросхема
Тип памяти
Вид SRAM

Технические параметры

Access Time 55ns
ECCN EAR99
HTSUS 8542.32.0041
Memory Format SRAM
Memory Interface Parallel
Memory Size 64Kb (8K x 8)
Memory Type Volatile
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 0В°C ~ 70В°C (TA)
Package Tube
Package / Case 28-SOIC (0.330"", 8.38mm Width)
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package 28-SOP
Technology SRAM - Asynchronous
Voltage - Supply 2.7V ~ 5.5V
Write Cycle Time - Word, Page 55ns
Access Time: 55 ns
Brand: Alliance Memory
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 25
Interface Type: Parallel
Manufacturer: Alliance Memory
Maximum Operating Temperature: +70 C
Memory Size: 64 kbit
Memory Type: SDR
Minimum Operating Temperature: 0 C
Moisture Sensitive: Yes
Mounting Style: SMD/SMT
Organization: 8 k x 8
Package / Case: SOP-28
Packaging: Tube
Product Category: SRAM
Product Type: SRAM
Series: AS6C6264
Subcategory: Memory & Data Storage
Supply Current - Max: 45 mA
Supply Voltage - Max: 5.5 V
Supply Voltage - Min: 2.7 V
Type: Asynchronous
Вес, г 0.92

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1436 КБ
Datasheet
pdf, 1574 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем