YJH03N10A, Транзистор N-MOSFET, TRENCH POWER MV, полевой, 100В, 2,4А, 4Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
9885 шт., срок 6 недель
48 руб.
Мин. кол-во для заказа 10 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 100 шт. —
29 руб.
от 500 шт. —
24 руб.
от 2500 шт. —
18.81 руб.
10 шт.
на сумму 480 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8002573333
Артикул: YJH03N10A
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD
Технические параметры
| Case | SOT89 |
| Drain current | 2.4A |
| Drain-source voltage | 100V |
| Gate charge | 16nC |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Manufacturer | YANGJIE TECHNOLOGY |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 0.12Ω |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 4W |
| Pulsed drain current | 12A |
| Technology | TRENCH POWER MV |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 0.14 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
