AOK50B65H1, Транзистор: IGBT, 650В, 50А, 188Вт, TO247, Eвыкл: 0,85мДж
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 110 руб.
от 3 шт. —
970 руб.
от 10 шт. —
765 руб.
от 80 шт. —
660.38 руб.
1 шт.
на сумму 1 110 руб.
Плати частями
от 279 руб. × 4 платежа
от 279 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Transistors\IGBT transistors and modules\IGBT transistors
Описание Транзистор: IGBT, 650В, 50А, 188Вт, TO247, Eвыкл: 0,85мДж Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
Технические параметры
| Case | TO247 |
| Collector current | 50A |
| Collector-emitter saturation voltage | 1.9V |
| Collector-emitter voltage | 650V |
| Gate charge | 76nC |
| Gate-emitter voltage | ±30V |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
| Mounting | THT |
| Power dissipation | 188W |
| Pulsed collector current | 150A |
| Turn-off switching energy | 0.85mJ |
| Turn-off time | 206ns |
| Turn-on switching energy | 1.92mJ |
| Turn-on time | 111ns |
| Type of transistor | IGBT |
| Вес, г | 6.08 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 527 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
