AS6C1008-55STIN, IC: SRAM memory; 128kx8bit; 2.7?5.5V; 55ns; STSOP32; parallel
![Фото 1/2 AS6C1008-55STIN, IC: SRAM memory; 128kx8bit; 2.7?5.5V; 55ns; STSOP32; parallel](https://static.chipdip.ru/lib/774/DOC043774301.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/086/DOC036086948.jpg)
900 руб.
от 5 шт. —
820 руб.
от 25 шт. —
605 руб.
от 100 шт. —
534.76 руб.
1 шт.
на сумму 900 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Integrated circuits\Memories - integrated circuits\SRAM memories - integrated circuits
Описание IC: SRAM memory; 128kx8bit; 2.7?5.5V; 55ns; STSOP32; parallel Характеристики Категория | Микросхема |
Тип | памяти |
Вид | SRAM |
Технические параметры
Access time | 55ns |
Case | STSOP32 |
Integrated circuit features | LPC |
Kind of interface | parallel |
Kind of memory | asynchronous, SRAM |
Manufacturer | ALLIANCE MEMORY |
Memory capacity | 1Mb |
Memory organisation | 128kx8bit |
Mounting | SMD |
Operating voltage | 2.7…5.5V |
Type of integrated circuit | SRAM memory |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8542.32.0041 |
Memory Format | SRAM |
Memory Interface | Parallel |
Memory Size | 1Mb (128K x 8) |
Memory Type | Volatile |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | -40В°C ~ 85В°C (TA) |
Package | Tray |
Package / Case | 32-LFSOP (0.465"", 11.80mm Width) |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | 32-sTSOP |
Technology | SRAM - Asynchronous |
Voltage - Supply | 2.7V ~ 5.5V |
Write Cycle Time - Word, Page | 55ns |
Вес, г | 0.24 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем