AS6C1008-55STIN, IC: SRAM memory; 128kx8bit; 2.7?5.5V; 55ns; STSOP32; parallel

Фото 1/2 AS6C1008-55STIN, IC: SRAM memory; 128kx8bit; 2.7?5.5V; 55ns; STSOP32; parallel
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
900 руб.
от 5 шт.820 руб.
от 25 шт.605 руб.
от 100 шт.534.76 руб.
1 шт. на сумму 900 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8002588674
Артикул: AS6C1008-55STIN

Описание

Semiconductors\Integrated circuits\Memories - integrated circuits\SRAM memories - integrated circuits
Описание IC: SRAM memory; 128kx8bit; 2.7?5.5V; 55ns; STSOP32; parallel Характеристики
Категория Микросхема
Тип памяти
Вид SRAM

Технические параметры

Access time 55ns
Case STSOP32
Integrated circuit features LPC
Kind of interface parallel
Kind of memory asynchronous, SRAM
Manufacturer ALLIANCE MEMORY
Memory capacity 1Mb
Memory organisation 128kx8bit
Mounting SMD
Operating voltage 2.7…5.5V
Type of integrated circuit SRAM memory
ECCN EAR99
HTSUS 8542.32.0041
Memory Format SRAM
Memory Interface Parallel
Memory Size 1Mb (128K x 8)
Memory Type Volatile
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40В°C ~ 85В°C (TA)
Package Tray
Package / Case 32-LFSOP (0.465"", 11.80mm Width)
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package 32-sTSOP
Technology SRAM - Asynchronous
Voltage - Supply 2.7V ~ 5.5V
Write Cycle Time - Word, Page 55ns
Вес, г 0.24

Техническая документация

Datasheet
pdf, 2746 КБ
Datasheet
pdf, 2717 КБ
Datasheet
pdf, 2234 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем