STGWA30H65DFB, Транзистор IGBT, 650В, 30А, 260Вт, TO247-3
![STGWA30H65DFB, Транзистор IGBT, 650В, 30А, 260Вт, TO247-3](https://static.chipdip.ru/lib/769/DOC034769643.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
23 шт., срок 6 недель
1 110 руб.
от 3 шт. —
980 руб.
от 10 шт. —
763 руб.
1 шт.
на сумму 1 110 руб.
Плати частями
от 279 руб. × 4 платежа
от 279 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Transistors\IGBT transistors and modules\IGBT transistors
Технические параметры
Case | TO247-3 |
Collector current | 30A |
Collector-emitter voltage | 650V |
Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |
Gate charge | 149nC |
Gate-emitter voltage | ±20V |
Kind of package | tube |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Mounting | THT |
Power dissipation | 260W |
Pulsed collector current | 120A |
Type of transistor | IGBT |
Вес, г | 6.15 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 897 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.