IXYN80N90C3H1, Модуль: IGBT, одиночный транзистор, Urmax: 900В, Ic: 70А, SOT227B
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
11 900 руб.
от 3 шт. —
9 410 руб.
1 шт.
на сумму 11 900 руб.
Плати частями
от 2 975 руб. × 4 платежа
от 2 975 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete semiconductors modules\IGBT modules\Semiconductors
Описание Модуль: IGBT, одиночный транзистор, Urmax: 900В, Ic: 70А, SOT227B Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
Технические параметры
| Case | SOT227B |
| Collector current | 70A |
| Electrical mounting | screw |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Manufacturer | IXYS |
| Max. off-state voltage | 900V |
| Mechanical mounting | screw |
| Power dissipation | 500W |
| Pulsed collector current | 340A |
| Semiconductor structure | single transistor |
| Technology | GenX3™, XPT™ |
| Type of module | IGBT |
| Channel Type | N |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 900 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 70 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 500 W |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Panel Mount |
| Package Type | SOT-227B |
| Pin Count | 4 |
| Switching Speed | 50kHz |
| Transistor Configuration | Single |
| Вес, г | 36.94 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
