AOD5B65N1, Транзистор IGBT, 650В, 5А, 21Вт, TO252, Eвыкл 0,049мДж
![AOD5B65N1, Транзистор IGBT, 650В, 5А, 21Вт, TO252, Eвыкл 0,049мДж](https://static.chipdip.ru/lib/605/DOC035605789.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
310 руб.
от 5 шт. —
180 руб.
от 25 шт. —
157 руб.
от 250 шт. —
121.06 руб.
1 шт.
на сумму 310 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Transistors\IGBT transistors and modules\IGBT transistors
Технические параметры
Case | TO252 |
Collector current | 5A |
Collector-emitter saturation voltage | 2.5V |
Collector-emitter voltage | 650V |
Gate charge | 9.2nC |
Gate-emitter voltage | ±30V |
Kind of package | reel, tape |
Manufacturer | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Mounting | SMD |
Power dissipation | 21W |
Pulsed collector current | 15A |
Turn-off switching energy | 0.049mJ |
Turn-off time | 114ns |
Turn-on switching energy | 0.081mJ |
Turn-on time | 23ns |
Type of transistor | IGBT |
Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 548 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов