IXBN75N170, Модуль: IGBT, одиночный транзистор, Urmax: 1,7кВ, Ic: 75А, SOT227B
![Фото 1/2 IXBN75N170, Модуль: IGBT, одиночный транзистор, Urmax: 1,7кВ, Ic: 75А, SOT227B](https://static.chipdip.ru/lib/012/DOC004012709.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/744/DOC043744355.jpg)
24 640 руб.
от 3 шт. —
21 980 руб.
от 10 шт. —
19 210 руб.
1 шт.
на сумму 24 640 руб.
Плати частями
от 6 160 руб. × 4 платежа
от 6 160 руб. × 4 платежа
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы и модули IGBT\Модули IGBT
Описание Модуль: IGBT, одиночный транзистор, Urmax: 1,7кВ, Ic: 75А, SOT227B Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | БТИЗ |
Вид | IGBT |
Технические параметры
Вес, г | 37.1 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов