IXBN75N170, Модуль: IGBT, одиночный транзистор, Urmax: 1,7кВ, Ic: 75А, SOT227B

Фото 1/2 IXBN75N170, Модуль: IGBT, одиночный транзистор, Urmax: 1,7кВ, Ic: 75А, SOT227B
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
24 640 руб.
от 3 шт.21 980 руб.
от 10 шт.19 210 руб.
1 шт. на сумму 24 640 руб.
Плати частями
от 6 160 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8002627682
Артикул: IXBN75N170
Бренд: Ixys Corporation

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы и модули IGBT\Модули IGBT
Описание Модуль: IGBT, одиночный транзистор, Urmax: 1,7кВ, Ic: 75А, SOT227B Характеристики
Категория Транзистор
Тип БТИЗ
Вид IGBT

Технические параметры

Вес, г 37.1

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов