VNQ860-E, IC: power switch; high-side; 250mA; Ch: 4; SMD; SO20; tube; -40?150°C
![Фото 1/2 VNQ860-E, IC: power switch; high-side; 250mA; Ch: 4; SMD; SO20; tube; -40?150°C](https://static.chipdip.ru/lib/397/DOC037397185.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/984/DOC006984804.jpg)
33 шт., срок 6 недель
1 560 руб.
от 3 шт. —
1 380 руб.
от 10 шт. —
1 070 руб.
1 шт.
на сумму 1 560 руб.
Плати частями
от 390 руб. × 4 платежа
от 390 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Технические параметры
Case | SO20 |
Kind of integrated circuit | high-side |
Kind of package | tube |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Mounting | SMD |
Number of channels | 4 |
On-state resistance | 0.27Ω |
Operating temperature | -40…150°C |
Output current | 0.25A |
Type of integrated circuit | power switch |
Brand: | STMicroelectronics |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Maximum Turn-Off Delay Time: | 40 us |
Maximum Turn-On Delay Time: | 10 us |
Minimum Operating Temperature: | -40 C |
Moisture Sensitive: | Yes |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Drivers: | 4 Driver |
Number of Outputs: | 4 Output |
Operating Supply Current: | 5 mA |
Output Current: | 250 mA |
Package / Case: | SOIC-20 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 16 W |
Product Category: | Gate Drivers |
Product Type: | Gate Drivers |
Product: | MOSFET Gate Drivers |
Series: | VNQ860-E |
Shutdown: | Yes |
Subcategory: | PMIC-Power Management ICs |
Supply Voltage - Max: | 36 V |
Supply Voltage - Min: | 5.5 V |
Technology: | Si |
Type: | High-Side |
Вес, г | 0.57 |
Техническая документация
Datasheet VNQ860SP-E
pdf, 1320 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Микросхемы прочие»
Типы корпусов импортных микросхем
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.